| 发明名称 | 一种PIN型室温核辐射探测器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种PIN型室温核辐射探测器，包括GaN衬底、n型掺杂层、p型掺杂层和两个接触电极，其特征在于：所述GaN衬底为厚膜结构，其厚度为100um～200um，所述n型掺杂层为掺杂硅的GaN薄膜，制作在所述GaN衬底的一面，所述p型掺杂层为掺杂镁的GaN薄膜，制作在GaN衬底的另一面，两个接触电极分别制作在n型掺杂层和p型掺杂层的外表面。本发明的室温核辐射探测器具有良好的室温灵敏度、探测效率和稳定性，更适用于强辐射场的探测领域；同时，本发明的制造工艺简单，成本低廉，适于工业化推广。 | ||
| 申请公布号 | CN100568542C | 申请公布日期 | 2009.12.09 |
| 申请号 | CN200810019832.2 | 申请日期 | 2008.03.18 |
| 申请人 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 陆敏 |
| 分类号 | H01L31/117(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/117(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陶海锋 |
| 主权项 | 1.一种PIN型室温核辐射探测器，包括GaN衬底、n型掺杂层、p型掺杂层和两个接触电极，其特征在于：所述GaN衬底为厚膜结构，其厚度为100um～200um，所述n型掺杂层为掺杂硅的GaN薄膜，制作在所述GaN衬底的一面，所述p型掺杂层为掺杂镁的GaN薄膜，制作在GaN衬底的另一面，两个接触电极分别制作在n型掺杂层和p型掺杂层的外表面。 | ||
| 地址 | 215125江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 | ||