一种降低水热法ZnO晶体的螺旋位错密度的方法

摘要

本发明将公开一种降低水热法ZnO晶体的螺旋位错密度的方法，它是在利用水热法进行ZnO晶体的生长之前，对ZnO晶体进行下述步骤的处理：1)取ZnO晶体切割出ZnO晶片；2)在ZnO晶片+c面和-c面各镀一层耐高温、耐腐蚀材料作为屏蔽层；3)利用光刻方法在ZnO晶片+c面和/或-c面的屏蔽层上蚀刻出平行的长条形，使+c面和/或-c面的屏蔽层分为阻止ZnO晶片生长的屏蔽区和可使ZnO晶片从中长出的生长窗口区，得到ZnO籽晶片。所得的ZnO籽晶片在水热条件下进行ZnO晶体的生长时，ZnO籽晶片界面上的螺旋位错由于屏蔽层的阻碍无法延伸到新生长层中，只能从生长窗口区向新生长层延伸，这就使得新生长的ZnO晶体的螺旋位错密度比ZnO籽晶片小很多，提高了ZnO晶体质量的效果。

主权项

1、一种降低水热法ZnO晶体的螺旋位错密度的方法，是在利用水热法进行ZnO晶体的生长之前，对ZnO晶体进行下述步骤的处理：1)取ZnO晶体切割出ZnO晶片；2)在ZnO晶片+c面和-c面各镀一层耐高温、耐腐蚀材料作为屏蔽层；所述耐高温、耐腐蚀材料为Pt，或Au，或Ag，或它们之中任意两种或两种以上的合金；3)利用光刻方法在ZnO晶片+c面和/或-c面的屏蔽层上蚀刻出平行的长条形，使+c面和/或-c面的屏蔽层分为阻止ZnO晶片生长的屏蔽区(1)和可使ZnO晶片从中长出的生长窗口区(2)，得到ZnO籽晶片，所得的的ZnO籽晶片即可利用水热法进行ZnO晶体的生长。