半导体装置制造方法、半导体装置和半导体芯片

摘要

一种半导体装置制造方法，包括：准备半导体芯片的工序，该半导体芯片具有表面和背面，并具有半导体基板、在该半导体基板的上述表面侧形成的功能元件、在厚度方向贯通上述半导体基板之贯通孔内配置的与上述功能元件电连接的贯通电极、与上述贯通电极电连接并且从上述表面突出的表面侧连接部件、与上述贯通电极电连接并且在上述背面上所形成的凹部分内具有接合面的背面侧连接部件；准备固体装置的工序，在该固体装置的一个表面上形成用于与上述表面侧连接部件连接的固体装置侧连接部件；接合工序，通过保持上述半导体芯片的背面而使上述半导体芯片的表面与上述固体装置的上述一个表面相面对，将上述表面侧连接部件与上述固体装置侧连接部件接合。

主权项

1、一种半导体装置制造方法，包括：准备半导体芯片的工序，该半导体芯片具有表面和背面，并且具备：半导体基板、在该半导体基板的所述表面侧形成的功能元件、在厚度方向贯通所述半导体基板之贯通孔内配置的与所述功能元件电连接的贯通电极、与所述贯通电极电连接并且从所述表面突出的表面侧连接部件、与所述贯通电极电连接并且在所述背面上形成的凹部分内具有接合面的背面侧连接部件；准备固体装置的工序，在该固体装置的一个表面上形成用于与所述表面侧连接部件连接的固体装置侧连接部件；和接合工序，通过保持所述半导体芯片的背面而使所述半导体芯片的表面与所述固体装置的所述一个表面相面对，将所述表面侧连接部件接合到所述固体装置侧连接部件上；所述凹部分位于所述贯通孔内；所述准备半导体芯片的工序包括准备作为所述半导体芯片的第一和第二半导体芯片的工序，其中所述第二半导体芯片的所述表面侧连接部件距所述表面的突出高度比所述第一半导体芯片的所述背面侧连接部件之接合面距所述背面的深度要大；所述半导体装置制造方法还包括芯片之间接合工序，通过保持所述第二半导体芯片的背面而使所述第二半导体芯片的表面与所述第一半导体芯片的背面相面对，从而将所述第二半导体芯片的所述表面侧连接部件接合到所述第一半导体芯片的所述背面侧连接部件上；所述第二半导体芯片的所述表面侧连接部件由比所述第一半导体芯片的所述背面侧连接部件更容易变形的材料构成。