| 发明名称 | 使用含碳硅和锗化硅外延源/漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括pFET和nFET的沟道。在pFET沟道的源极和漏极区中选择性地生长SiGe层，且在nFET沟道的源极和漏极区中选择性地生长Si:C层。SiGe和Si:C层匹配下面的Si层的晶格网络以产生应力分量。在一个实施例中，这导致在pFET沟道中的压应力分量和在nFET沟道中的拉应力分量。 | ||
| 申请公布号 | CN100562972C | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200480030752.7 | 申请日期 | 2004.10.19 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 德雷斯蒂·奇达姆巴拉奥;奥默·多库马西;陈华杰 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/461(2006.01)I;H01L31/117(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1、一种制造半导体结构的方法，包括的步骤为：在衬底中形成p型场效应晶体管沟道和n型场效应晶体管沟道；在p型场效应晶体管沟道中形成p型场效应晶体管堆栈，在n型场效应晶体管沟道中形成n型场效应晶体管堆栈；在与p型场效应晶体管堆栈相关的源极/漏极区提供第一材料层，所述第一材料层具有与所述衬底的基晶格常数不同的晶格常数以在p型场效应晶体管沟道内产生压应力状态；以及在与n型场效应晶体管堆栈相关的源极/漏极区提供第二材料层，所述第二材料层具有与所述衬底的基晶格常数不同的晶格常数以在n型场效应晶体管沟道内产生拉应力状态，其中所述第一材料层和所述第二材料层生长为10到100nm的厚度。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||