| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren sowie eine Anordnung zum Tempern von SiC-Wafern. Mit der Erfindung sollen ein Verfahren und eine Anordnung zum Tempern von SiC-Wafern zur Erzeugung eines ausreichenden Si-Partialdrucks im Prozessraum und unter Verringerung der Betriebskosten geschaffen werden. Erreicht wird das dadurch, dass mit dem Prozessraum (2) zur Aufnahme von mindestens einem Wafer (3) eine Quelle für zumindest dampf- bzw. gasförmiges Silizium zur Erhöhung des Si-Partialdrucks verbunden ist, wobei die Quelle ein Verdampfer (4) mit verflüssigten Si-Bruchstücken (11) ist, dem ein Trägergas, eine Gasströmung über einer Si-Schmelze erzeugend, zuführbar ist und dass der Verdampfer (4) ist, der über eine Rohrleitung (5) mit dem Prozessraum (2) verbunden, oder in diesem angeordnet ist.</p> |
