发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件包含半导体衬底、形成在半导体衬底上的绝缘膜、形成在半导体衬底上同时在之间放置至少一个绝缘膜的电感器、以及从平面看围绕该电感器并将电感器与其它区域隔离的保护环,其中该保护环包含环状杂质扩散层和环状导电体,所述环状杂质扩散层设置在半导体衬底的表面部分中,所述环状导电体连接到杂质扩散层,并延伸跨过多个层间绝缘膜中的多个互连层,直至具有的高度不低于在其中设置电感器的层的层。 |
申请公布号 |
CN101459178A |
申请公布日期 |
2009.06.17 |
申请号 |
CN200810186735.2 |
申请日期 |
2008.12.12 |
申请人 |
恩益禧电子股份有限公司 |
发明人 |
内田慎一;中柴康隆 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
孙志湧;穆德骏 |
主权项 |
1. 一种半导体器件,包括:半导体衬底;多个层间绝缘膜,其形成在所述半导体衬底之上并包含多个互连层;电感器,其形成在所述半导体衬底之上同时在之间设置至少一个所述层间绝缘膜;以及保护环,从平面图来看,该保护环围绕所述电感器以使得所述电感器与其它区域相隔离,其中所述保护环包括:环状杂质扩散层,其设置在所述半导体衬底的表面部分中;以及环状导电体,其连接到所述杂质扩散层,并延伸跨过所述多个层间绝缘膜中的所述多个互连层,直至一具有的高度不低于其中设置有所述电感器的层的层。 |
地址 |
日本神奈川 |