半导体器件的制造方法

摘要

一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以TEOS作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或羟基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。

主权项

1. 一种形成半导体器件的方法，包括下列步骤：在衬底上形成半导体薄膜；通过加热使所述半导体薄膜晶化；在所述晶化步骤之后，利用含有机硅烷的原材料，通过等离子体化学气相沉积来在所述晶化的半导体薄膜上形成氧化硅膜；在形成所述氧化硅膜后，使红外光照射到至少所述氧化硅膜上，以消除所述氧化硅膜中的碳；以及在所述氧化硅膜上形成栅电极，其中，在10托或更低的减压下，或在大气压强的氧化气氛下，所述光照射至少所述氧化硅膜5秒到5分钟，以便以每秒30到300℃的速率使所述氧化硅膜的温度抬高到1000到1300℃，随后所述氧化硅膜的温度以每秒30到300℃的速率下降。