| 发明名称 | 分栅闪存的浮栅制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种分栅闪存的浮栅制造方法，首先以光刻胶作为为屏蔽掩模，并采用各向同性干法刻蚀形成浮栅的碗型凹槽；然后，沉积二氧化硅层，并利用干法回蚀技术形成半圆形氧化层；最后，利用自对准干法刻蚀，把氧化区以外的多晶硅刻蚀掉，从而得到尖锐的浮栅周边，从而确保了该最终形成的浮栅的形状不会受分栅闪存制造过程中其他操作步骤的影响，而且减少了本发明所述分栅闪存在闪存阵列中的片内断差，提高了生产效率高，使得工艺易于对浮栅的尖端优化且波动较小，而且上述方法实现起来较为简单，从一定程度上降低了制造成本。本发明所述方法还保证了在闪存实施擦除动作时，可减少擦除失效，降低擦除电压，使闪存单元更为易于控制。 | ||
| 申请公布号 | CN101459065A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710094512.9 | 申请日期 | 2007.12.14 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 贾晓宇;金勤海 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周 赤 |
| 主权项 | 1、一种分栅闪存的浮栅制造方法，其特征在于，包括：(1)在衬底(201)表面热氧化一层栅氧化层(202)，随后在所述栅氧化层(202)上沉积一层多晶硅(203)，然后涂上光刻胶(204)；(2)借助光刻胶(204)作为掩模，对所述多晶硅203进行各向同性的干法刻蚀，在所述多晶硅(203)上形成浮栅的碗形凹槽；(3)对所述多晶硅(203)进行掺杂；(4)在掺杂后的多晶硅(203)上淀积一层二氧化硅(205)；(5)对所述二氧化硅(205)进行干法回蚀，去除位于所述碗形凹槽外部的二氧化硅(205)；(6)利用自对准干法刻蚀，去掉未被所述二氧化硅(205)覆盖的多晶硅(203)。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||