采用非均匀栅氧化层的高压晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种能有效减少GIDL效应并不改变其电学性质的高压晶体管、其制造方法。该高压晶体管采用非均匀高压栅氧化层，在没有显著改变器件电学特性的情况下，有效地减小了GIDL及其引起的漏电流。为了制得本发明的高压晶体管，在硅衬底表面进行高压阱和扩散源离子注入；生长100埃氧化硅层和淀积500埃氮化硅层；在需要加厚栅氧化层的区域进行光刻和刻蚀形成氮化硅窗口；氧化100埃氧化硅，在沟道形成氧化层台阶；去除氮化硅；氧化500～1000埃氧化硅；淀积多晶硅栅极；栅极的光刻与刻蚀；低掺杂源漏离子注入形成源极；氮化硅侧墙的淀积与刻蚀；源漏离子注入形成源极；制作难熔金属硅化物，淀积金属化前的介质层，刻出接触孔。

主权项

1、一种采用非均匀栅氧化层的高压晶体管，由源极、高压阱和扩散漏并联，并在所述并联区域上表面两端各有一个氮化硅侧墙，所述两侧墙之间夹有上下两层栅极层，上层为多晶硅，下层为氧化层，其特征在于：所述氧化层为非均匀氧化层；所述非均匀氧化层在所述多晶硅与所述扩散漏交叠区域的厚度较其他沟道区的氧化层厚100埃。