SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING HETEROSTRUCTURE

摘要

Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Leuchtheterostruktur auf der Basis von Mischkristallen der Nitride der dritten Metallgruppe Al x ln y Ga 1-(x+y) N (0 = x = 1, 0 = y = 1) mit einem p-n Übergang, die eine Sequenz von Epitaxialschichten aufweist, welche n-und p-leitende Gebiete ausbilden. Dabei ist in einem dieser Gebiete ein aktives Gebiet geformt, welches mindestens eine Quantenmulde enthält. Das andere Gebiet schließt eine Strombegrenzungsschicht ein. Bei dieser Halbleiter-Leuchtheterostruktur ist vorgesehen, dass das aktive Gebiet innerhalb des p-leitenden Gebiets und die Strombegrenzungsschicht im n-leitenden Gebiet angeordnet sind, dann wird der äußere Quantenwirkungsgrad der Halbleiter-Leuchtheterostruktur erhöht.