| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。其中该半导体器件的半导体衬底包括：多个隔离阱，形成于该衬底中并在所述隔离阱之间的区域中具有沟槽；栅极绝缘层，形成在该沟槽内；栅电极，形成在填充该沟槽的栅极绝缘层上；以及源电极区和漏电极区，形成在该栅电极和所述隔离阱之间的衬底上。 | ||
| 申请公布号 | CN100502045C | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200610172772.9 | 申请日期 | 2006.12.26 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 朴茔泽 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：沟槽，形成在半导体衬底中；栅电极，形成在该沟槽中；栅极绝缘层，形成在该沟槽中，其中该栅电极形成在该栅极绝缘层上方；以及至少两个隔离阱，形成在该半导体衬底中，其中该沟槽位于所述至少两个隔离阱之间；其中栅电极的表面所处的高度与该半导体衬底的围绕栅电极的区域的高度相同。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||