半导体架构及其形成方法

摘要

一种半导体架构，包括具有第一装置区以及第二装置区的半导体基底。栅极层横跨于半导体基底上的第一装置区以及第二装置区，横跨第一装置区的栅极层的第一部与具有第一型态的杂质执行掺杂，而横跨于第二装置区的栅极层的第二部与具有第二型态的杂质执行掺杂。设置于栅极层上方的披覆层用以避免于被披覆层覆盖的栅极层上方形成金属硅化物结构，其中此披覆层于栅极层的第一部与第二部的接面处具有至少一开口，并于此开口中设置金属硅化层，以降低介于栅极层的第一部与第二部之间接面的电阻。

主权项

1. 一种半导体架构，包括：半导体基底，具有第一装置区以及第二装置区；栅极层，横跨于上述半导体基底上的上述第一装置区以及第二装置区，其中横跨上述第一装置区的上述栅极层的第一部掺杂第一型态的杂质，而横跨于上述第二装置区的上述栅极层的第二部掺杂第二型态的杂质；一个或多个源/漏极掺杂区，位于该栅极层的两侧；一个或多个间隙壁，位于该栅极层的侧壁；披覆层，设置于上述栅极层上方，用以避免被上述披覆层覆盖的栅极层形成金属硅化物结构，其中上述披覆层于上述栅极层的第一部与第二部的接面处具有第一开口，且上述披覆层于上述栅极层的另一部分具有第二开口，以提供上述栅极层和位于上述栅极层上的导电层之间的内连接；一个或多个介层窗，形成于该源/漏极掺杂区上；以及金属硅化层，设置于该源/漏极掺杂区上和上述栅极层的上方的上述第一开口和第二开口中，其中，该导电层连接该源/漏极掺杂区和该栅极层的上方的第二开口暴露的金属硅化层。