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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silizium, insbesondere für Solaranwendungen und mit diesem Verfahren hergestellte Siliziumstäbe. Bisher wurden vorwiegend Reste der Reinstsiliziumherstellung für die Gewinnung von Solarsilizium verwendet. Die üblichen Verfahren zur Herstellung von Reinstsilizium sind kostenaufwändig und verwenden Trichlorsilan als Ausgangsstoff, das sehr leicht entflammbar ist. Die beim Siemens-Verfahren verwendeten Si-Dünnstäbe zum Starten des Prozesses sind üblicherweise aus Reinstsilizium und müssen extern vorgeheizt werden, damit ein Stromfluss ermöglicht wird. Erfindungsgemäß wird als Ausgangsmaterial Siliziumtetrachlorid eingesetzt, das im ersten Verfahrensschritt zu Trichlorsilan umgewandelt wird. Dann wird nach dem Siemens-Verfahren Silizium an den Si-Dünnstäben abgeschieden. Diese Si-Dünnstäbe sind erfindungsgemäß derart mit Bor und gegebenenfalls mit anderen dotierenden Stoffen dotiert, dass sie eine solche elektrische Leitfähigkeit aufweisen, die bei Anlegen einer Spannung von < 1400 V einen Stromfluss durch diese Si-Dünnstäbe ermöglicht, der diese auf die notwendige Abscheidetemperatur aufheizt. Vorteilhafterweise werden die Si-Dünnstäbe derart dotiert, dass die abgeschiedenen Si-Stäbe direkt als Ausgangsstoff in einem anschließenden Verfahren zur Herstellung von multikristallinen oder einkristallinen Siliziumkristallen verwendet werden können.
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