| 发明名称 | 晶片的单片式蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明是使将单晶硅锭切片获得的单片圆板状薄硅晶片旋转，同时在晶片的上面供给蚀刻液来蚀刻晶片表面的方法，从在晶片半径方向不同位置上相对设置的多个蚀刻液供给喷嘴，向晶片上面供给改变选自温度、种类及供给流量的一种或两种以上的蚀刻液。可以有效地使晶片达到高平坦度，并且可以提高其生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101379599A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200780004139.1 | 申请日期 | 2007.01.24 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 古屋田荣;桥井友裕;村山克彦;高石和成;加藤健夫 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 熊玉兰;孙秀武 |
| 主权项 | 1.一种晶片的单片式蚀刻方法，其是将单晶硅锭切片，使获得的单片圆板状薄硅晶片边旋转，同时在上述晶片的上面供给蚀刻液，蚀刻上述晶片表面的单片式蚀刻方法，其特征在于，在上述晶片上面之内，在上述晶片的半径方向的不同位置上分别相对设置多个蚀刻液供给喷嘴，改变来自上述多个蚀刻液供给喷嘴的上述蚀刻液的选自温度、种类和供给流量的一种或二种以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||