| 发明名称 | 半导体装置制造方法、固态成像设备、电器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体装置制造方法。所述方法包括如下步骤：在基板上形成具有开口的第一硬掩模；在所述第一硬掩模的开口的侧面上形成牺牲膜；在侧面上具有所述牺牲膜的所述开口中形成第二硬掩模；在形成所述第二硬掩模之后除掉所述牺牲膜；经过所述第一硬掩模离子注入第一导电型杂质；以及经过所述第一和第二硬掩模离子注入第二导电型杂质。由于该方法使用了第一和第二硬掩模，因而在使用具有高纵横比的掩模的情况下，杂质区变窄并形成深的杂质区。 | ||
| 申请公布号 | CN101378019A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200810210184.9 | 申请日期 | 2008.08.29 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 三好康史 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L27/148(2006.01) | 主分类号 | H01L21/266(2006.01) |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陈桂香;武玉琴 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置制造方法，其包括如下步骤：在基板上形成具有开口的第一硬掩模；在所述第一硬掩模的开口的侧面上形成牺牲膜；在侧面上具有所述牺牲膜的所述开口中形成第二硬掩模；在形成所述第二硬掩模之后除掉所述牺牲膜；经过所述第一硬掩模离子注入第一导电型杂质；以及经过所述第一和第二硬掩模离子注入第二导电型杂质。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||