| 发明名称 | 绝缘体上硅晶片的成形绝缘层及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种绝缘体上硅晶片(10)。所述SOI晶片(10)包括顶部硅层(6)，硅衬底(4)，以及氧化物绝缘层(2)，所述氧化物绝缘层(2)设置于所述晶片(10)中并在所述硅衬底(4)与所述顶部硅层(6)之间。所述氧化物绝缘层(2)具有成形的顶部表面(8a、8b、8c、8d、8e)和成形的底部表面(12e)的至少一个。本发明同时提供了用于制造此SOI晶片(10)的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100466203C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200380110826.3 | 申请日期 | 2003.12.16 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | L·古拉里 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01) | 主分类号 | H01L21/331(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1.一种用于制造绝缘体上硅晶片(10)的方法，包括以下步骤:(a)提供硅衬底(4)；(b)在所述晶片(10)中形成氧化物绝缘层(2)，所述绝缘层(2)掩埋于所述硅衬底(4)中，将所述硅衬底(4)与顶部硅层(6)分离，并具有顶部表面(8)和底部表面(12)；(c)增厚所述绝缘层(2)；(d)形成所述绝缘层(2)的成形的顶部表面(8a、8b、8c、8d、8e)和成形的底部表面(12e)的至少一个；以及(e)退火以进一步增厚并成形所述绝缘层(2)。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||