| 发明名称 | 三维混合取向技术的结构和方法 | ||
| 摘要 | 具有增强的pFET性能且不会降低nFET的性能的半导体器件以及制造方法。该方法包括使用第一平面和方向在基片上形成第一结构和使用第二平面和方向在该基片上形成第二结构。在使用中，该结构包括：使用第一平面和方向(例如(100)/<110>)在基片上形成的nFET叠层；和使用不同于第一平面和方向的第二平面和方向(例如(111)/<112>)在该基片上形成pFET叠层。在所述nFET叠层和pFET叠层之间设有该基片内的隔离区。 | ||
| 申请公布号 | CN100456451C | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200610008648.9 | 申请日期 | 2006.02.20 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 權五正 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01);H01L27/088(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 张浩 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体结构的方法，包括：使用第一平面和第一方向在基片上形成第一结构；使用第二平面和第二方向在该基片上形成第二结构；以及在第一结构和第二结构之间形成隔离区，其中形成第二结构的步骤包括蚀刻基片以形成带角度的侧壁并至少部分地在该带角度的侧壁上构造第二结构，其中形成带角度的侧壁的步骤包括：蚀刻在基片上淀积的氧化物层上淀积的块材料，穿过该氧化物层，并进入基片。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||