非易失性存储单元编程方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储单元编程方法。一种将2位数据编入具有4个阈值电压分布的存储单元中的存储单元编程方法可以包括：第一编程操作，通过将第一编程电压施加到存储单元来将2位数据中的第一位编入存储单元中；第二编程操作，通过将第二编程电压施加到存储单元来将2位数据中的第二位编入存储单元中；稳定操作，在执行第一和第二编程操作中与第一和第二编程电压中较高的编程电压对应的编程操作之后，将电场极性与第一和第二编程电压所形成的电场极性相反的稳定电压施加到存储单元。

主权项

1、一种将n位数据编入具有多个阈值电压分布的存储单元中的存储单元编程方法，所述方法包括：对存储单元执行第一至第m编程操作，第一至第m编程操作中的每个包括通过将第一至第m编程电压中的一个编程电压施加到存储单元来将n位数据的第一至第n位中的一位编入存储单元中；在第一至第m编程操作中的至少一个编程操作之后，执行将电场极性与施加第一至第m编程电压所形成的电场极性相反的稳定电压施加到存储单元的稳定操作，n为大于1的自然数，m为小于等于n的非零自然数。