发明名称 3D R/W CELL WITH REDUCED REVERSE LEAKAGE AND METHOD OF MAKING THEREOF
摘要 A nonvolatile memory device includes a semiconductor diode steering element, and a semiconductor read / write switching element.
申请公布号 WO2009005614(A2) 申请公布日期 2009.01.08
申请号 WO2008US07758 申请日期 2008.06.23
申请人 SANDISK 3D LLC;KUMAR, TANMAY;PETTI, CHRISTOPHER, J. 发明人 KUMAR, TANMAY;PETTI, CHRISTOPHER, J.
分类号 G11C13/00;H01L27/24;H01L45/00 主分类号 G11C13/00
代理机构 代理人
主权项
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