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In einem Verfahren zur Herstellung einer Siliziumksubstrat (1) dadurch bereitgestellt, dass ein Stab geschnitten wird, der aus einem Siliziumkarbid-Einkristall hergestellt ist. Das Siliziumkarbidsubstrat (1) wird wärmebehandelt, um einen Substratdefekt (3) zu enthüllen, der an einem Oberflächenabschnitt des Siliziumkarbidsubstrats (1) erzeugt worden ist, und der Oberflächenabschnitt des Siliziumkarbidsubstrats (1) wird chemisch-mechanisch derart poliert, dass der enthüllte Substratdefekt (3) entfernt wird. Anschließend wird an dem Siliziumkarbidsubstrat (1) ein Halbleiterelement ausgeformt. |
