发明名称 |
半导体纳米晶的单源前体 |
摘要 |
制备半导体纳米晶的单源固体前体基质的方法,包括步骤:a)混合0.1-1摩尔含有主体基质第一组分的水或非水(有机)溶液(1)和0.001-0.01摩尔含有第一掺杂剂离子的水/非水溶液(2),所述第一掺杂剂离子需要原位价态调整,b)溶解10-20毫克无机盐,以便在溶液中原位还原第一掺杂剂离子(3),c)添加0.001-0.01摩尔含有无需改变其价态的掺杂剂离子的无机盐的水/非水溶液(4),d)添加0.1-1摩尔含有主体材料第二组分的无机盐的水/非水溶液(5),e)添加5-10重量%含有pH调整络合剂的含水溶液以获得混合物(6),f)加热在步骤(e)获得的混合物以获得固体层状显微组织的前体化合物(7,8)。 |
申请公布号 |
CN101341228A |
申请公布日期 |
2009.01.07 |
申请号 |
CN200680042159.3 |
申请日期 |
2006.06.27 |
申请人 |
国防研究与发展组织总干事 |
发明人 |
M·科亚库蒂;A·维尔马;S·R·维德拉;N·库马尔;T·R·N·库蒂 |
分类号 |
C09K11/54(2006.01);C30B29/68(2006.01) |
主分类号 |
C09K11/54(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
李帆 |
主权项 |
1.制备半导体纳米晶的单源固体前体基质的方法,包括步骤:a)混合0.1-1摩尔含有主体基质第一组分的水或非水(有机)溶液和0.001-0.01摩尔含有第一掺杂剂离子的水/非水溶液,所述第一掺杂剂离子需要原位价态调整,b)溶解10-20毫克无机盐以便在溶液中原位还原第一掺杂剂离子,c)添加0.001-0.01摩尔含有无需改变其价态的掺杂剂离子的无机盐的水/非水溶液d)添加0.1-1摩尔含有主体材料第二组分的无机盐的水/非水溶液,e)添加5-10重量%含有pH调整络合剂的水溶液以获得混合物,f)加热在步骤(e)获得的混合物以获得固体层状显微组织的前体化合物。 |
地址 |
印度新德里 |