| 发明名称 | 激光辐射装置、激光辐射方法及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种激光辐射装置、一种激光辐射方法和用能抑制激光束的能量分布的激光辐射方法制造半导体器件的方法。本发明提供包含振荡激光束的激光振荡器的激光辐射装置、具有多个光学系统的透镜组、用于控制透镜组的位置，以便于与脉冲激光束的多个第一脉冲的振荡相同步地从多个光学系统中选择至少两个光学系统的位置控制装置，其中所选择的多个光学系统形成了具有相互倒置或旋转的空间能量分布的多个脉冲。 | ||
| 申请公布号 | CN100449683C | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200410079131.X | 申请日期 | 2004.09.08 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 田中幸一郎;森若智昭;山本良明 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/477(2006.01);B23K26/00(2006.01);G02F1/35(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈斌 |
| 主权项 | 1.一种激光辐射装置，其特征在于，包括：依次发射激光束的多个第一脉冲的激光振荡器；具有多个光学系统的透镜组；和用于与激光束的多个第一脉冲的振荡同步地控制透镜组的位置的位置控制部件，以使所述多个第一脉冲分别穿过所述多个光学系统，从而形成多个第二脉冲，其中所述多个第二脉冲中的至少一个具有与所述多个第一脉冲的第一空间能量分布倒置或者旋转的第二空间能量分布。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||