闪存存储器及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种闪存存储器及其制造方法。所述闪存存储器，是由衬底、控制栅极、沟渠、源极区、隔离结构、漏极区、一共同源极线、浮置栅极、隧穿介电层与栅间介电层构成。控制栅极以第一方向排列于衬底上，沟渠则以第二方向排列于衬底表面。而源极区是在控制栅极一侧的衬底与沟渠内，隔离结构则填满源极区之间的沟渠，且漏极区是位于控制栅极的另一侧的隔离结构间的衬底内。共同源极线则以第二方向排列在衬底内，其同源极线与源极区电性相连。再者，浮置栅极位于源极区与漏极区之间的衬底与控制栅极间、隧穿介电层位于浮置栅极与衬底间以及栅间介电层是在浮置与控制栅极之间。

主权项

1. 一种闪存存储器，其特征在于其包括：一衬底；多条控制栅极，以第一方向排列于所述衬底上；多条沟渠，以第二方向排列于所述衬底表面；多条源极区，位于每一控制栅极的第一侧的所述衬底与所述多个沟渠内；多个隔离结构，分别填满所述多个源极区之间的所述多个沟渠；多个漏极区，分别位于每一控制栅极的第二侧的所述多个隔离结构间的所述衬底内；一共同源极线，以所述第二方向排列在所述衬底内，其中所述共同源极线与所述多个源极区电性相连；多个浮置栅极，位于所述多个源极区与所述多个漏极区之间的所述衬底与所述多个控制栅极之间；多个隧穿介电层，位于所述多个浮置栅极与所述衬底之间；以及一栅间介电层，位于所述多个浮置栅极与所述多个控制栅极之间。