发明名称 |
薄膜磁传感器及其制造方法 |
摘要 |
一种薄膜磁传感器包括一对每一个都由软磁材料形成的薄膜磁轭,该薄膜磁轭被设置成互相面对,同时一个间隙介入其间;包括一个电连接到该对薄膜磁轭并有高于软磁材料的电阻率的GMR薄膜;以及包括一个支撑薄膜磁轭和GMR薄膜并由绝缘的非磁材料形成的绝缘衬底。一个包括一个由绝缘的非磁材料形成的层次和一个GMR薄膜的层次的多层次结构的间隙柱被设置在间隙中,在间隙的长度上GMR薄膜的厚度均匀。 |
申请公布号 |
CN100403049C |
申请公布日期 |
2008.07.16 |
申请号 |
CN200410048870.2 |
申请日期 |
2004.06.02 |
申请人 |
财团法人电气磁气材料研究所;大同特殊钢株式会社 |
发明人 |
小林伸圣;白川究;金田安司 |
分类号 |
G01R33/09(2006.01);H01L43/08(2006.01) |
主分类号 |
G01R33/09(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
李玲 |
主权项 |
1.一种薄膜磁传感器包括:一对薄膜磁轭,每一个磁轭由软磁材料形成,该薄膜磁轭被设置成互相面对,同时一个间隙介入其间;一个GMR薄膜,该GMR薄膜被电连接到该对薄膜磁轭并具有高于软磁材料的电阻率;和一个绝缘衬底,该绝缘衬底支撑薄膜磁轭和GMR薄膜并由绝缘的非磁材料形成;其中,在间隙中设置一个多层次结构的间隙柱,所述间隙柱包括一个由绝缘的非磁材料形成的层和一个GMR薄膜的层,且GMR薄膜的厚度在间隙的长度上均匀。 |
地址 |
日本宫城县 |