| 发明名称 | 具有高崩溃电压与高电阻值的半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有高崩溃电压与高电阻值的半导体结构及其制造方法，其半导体结构至少包括：一基板，为一第一传导类型；一深阱，为一第二传导类型，是形成于基板内并由基板的表面向下扩展；一对第一阱，为第一传导类型，是形成于基板内并由基板的表面向下扩展，且形成在深阱之内；一第二阱，为第二传导类型，是形成于基板的深阱内并由基板表面向下扩展，且第二阱形成在第一阱之间，第二阱的注入量是低于第一阱的注入量；一对第一掺杂区，为第一传导类型，是分别形成在第一阱之内由基板表面向下扩展。 | ||
| 申请公布号 | CN101221988A | 申请公布日期 | 2008.07.16 |
| 申请号 | CN200810003312.2 | 申请日期 | 2008.01.16 |
| 申请人 | 崇贸科技股份有限公司 | 发明人 | 蒋秋志;黄志丰 |
| 分类号 | H01L29/86(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/329(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L29/86(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，至少包括：一基板，为一第一传导类型；一深阱，为一第二传导类型，是形成于该基板内并由该基板的表面向下扩展；一对第一阱，为该第一传导类型，是形成于该基板内并由该基板的表面向下扩展，且形成在该深阱之内；一第二阱，为该第二传导类型，是形成于该基板的该深阱内并由该基板表面向下扩展，且该第二阱形成在该对第一阱之间，该第二阱的注入量是低于该第一阱的注入量；以及一对第一掺杂区，为该第一传导类型，是分别形成在该对第一阱之内由该基板表面向下扩展。 | ||
| 地址 | 台湾省台北县新店市宝兴路45巷8弄1号3楼 | ||