发明名称 多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型和使用方法
摘要 本发明公开一种多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型和使用方法。本发明提供的方法使用多层处理程序和多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型和库处理衬底,该方法可以包括一个或者多个掩膜层形成工序、一个或者多个预处理测量工序、一个或者多个局部蚀刻(P-E)工序、一个或者多个最终蚀刻(F-E)工序以及一个或者多个后处理测量工序。
申请公布号 CN101551834A 申请公布日期 2009.10.07
申请号 CN200910133608.0 申请日期 2009.03.31
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 麦里特·法克;拉哈·桑达拉拉简;李俊华;丹尼尔·帕格;山下朝夫
分类号 G06F17/50(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 柳春雷;南 霆
主权项 1.一种用于建立多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型的方法,包括:确定第一多层处理程序以在一个或者多个多层栅结构中形成一个或者多个最终多栅结构,其中,所述第一多层处理程序包括一个或者多个第一测量工序、一个或者多个局部蚀刻(PE)工序、一个或者多个最终蚀刻(F-E)工序以及一个或者多个第二测量工序,其中,最终多栅结构包括至少一个侧壁角度(SWA)和至少一个栅宽度,所述侧壁角度在约八十五度和约九十二度之间,并且所述栅宽度在约二十纳米和约五十纳米之间;选择第一多层/多输入/多输出模型,其被构造成模拟所述第一多层处理程序,所述第一多层/多输入/多输出包括多个控制变量(CV)、多个操纵变量(MV)和多个干扰变量(DV);确定与所述第一多层/多输入/多输出相关的第一组干扰变量,其中,所述第一测量工序中的一个或者多个被构造成提供所述干扰变量中的一个或者多个,所述干扰变量中的一个或者多个由前述工序或者层确定;确定与所述第一多层/多输入/多输出相关的第一组控制变量和与所述控制变量相关的范围,其中,所述控制变量包括与所述最终多栅结构相关的一个或者多个临界尺寸(CD)和与所述最终多栅结构相关的一个或者多个侧壁角度,其中,所述第二测量工序中的一个或者多个被构造成提供所述第一组控制变量中的一个或者多个;使用一个或者多个候补配方(recipe)建立与所述第一多层/多输入/多输出相关的第一组操纵变量,其中,所述第一组操纵变量包括被构造成在衬底正被处理的同时变化的一个或者多个晶片内操纵变量(WiW-MV)和被构造成在所述衬底已经被处理之后变化的一个或者多个晶片间操纵变量(W2W-MV);分析所述建立多层/多输入/多输出模型,其中,选择一个或者多个统计模型,为所述控制变量和所述操纵变量提供一个或者多个范围,并且执行一个或者多个统计分析工序以建立实验设计(DOE)数据,其中,所述统计模型被构造成将一个或者多个操纵变量与一个或者多个控制变量相关联;通过使用最小平方技术和统计软件建立具有二次和互相作用项的一个或者多个非线性模型;使用所述实验设计数据形成一个或者多个稳态线性增益矩阵(G),其中,每个增益矩阵包括第一数量的操纵变量和第二数量的控制变量;使用所述稳态线性增益矩阵(G)计算一个或者多个相对增益阵列(RGA),其中,<maths num="0001"><![CDATA[<math><mrow><mi>RGA</mi><mo>=</mo><mi>G</mi><mo>&CircleTimes;</mo><msup><mrow><mo>(</mo><msup><mi>G</mi><mrow><mo>-</mo><mn>1</mn></mrow></msup><mo>)</mo></mrow><mi>T</mi></msup></mrow></math>]]></maths>和<img file="A2009101336080003C2.GIF" wi="37" he="38" />表示项与项相乘;使用一个或者多个配对规则优化一组或者多组操纵变量;为所述多层/多输入/多输出确定一个或者多个稳定条件;以及使用与第一组处理工具相关的性能参数优化所述多层/多输入/多输出,所述第一组处理工具被构造成执行所述第一多层处理程序。
地址 日本东京都