发明名称 |
高灵敏磁敏材料 |
摘要 |
本发明涉及一种磁敏材料,特别是一种高灵敏磁敏材料。含有Fe并含有Co、B、Si、Nb、V、Mn、Cu、Ni和Cr中的一种或多种组分的合金,其特征在于:外表层为非晶壳层,内部为纳米晶内芯的复合结构材料。因纳米晶结构,具有纵向易磁化和纵向高磁导率的优点,而非晶结构,具有垂直于纵向的环向易磁化和环向高磁导率的优点。两者的结合,不仅能大大提高阻抗变化率和磁场灵敏度,大大提高在微弱磁场的磁场灵敏度,而且还具有低灵敏响应临界磁场(其灵敏响应磁场可以小于5A/m)、可以在无需偏置场的情况下对微弱磁场敏感、降低磁敏传感器的功耗、成本低廉等优点,是一种性价比高的高灵敏磁敏材料。 |
申请公布号 |
CN101552070A |
申请公布日期 |
2009.10.07 |
申请号 |
CN200810163790.X |
申请日期 |
2008.12.31 |
申请人 |
浙江师范大学 |
发明人 |
方允樟;郑金菊;吴锋民;许启明;满其奎 |
分类号 |
H01F1/153(2006.01)I;C22C30/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01F1/153(2006.01)I |
代理机构 |
金华科源专利事务所有限公司 |
代理人 |
吕葆华 |
主权项 |
1、一种高灵敏磁敏材料,包括Fe,并含有Co、B、Si、Nb、V、Mn、Cu、Ni和Zr中的一种或多种组分的合金,其特征在于:外表层为非晶壳层,内部为纳米晶内芯的复合结构材料。 |
地址 |
321004浙江省金华市迎宾大道688号 |