发明名称 |
缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法 |
摘要 |
缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法,本发明涉及一种抗菌膜的制备方法。本发明解决了现有方法制备的抗菌膜抗菌效果持久性差的问题。本方法如下:一、将基体放入真空室靶台上,然后加热至200℃,再溅射清洗20min;二、在氩气流量为6sccm、氮气流量为2sccm、沉积气压为0.56Pa、基体沉积偏压为复合偏压的条件下转动真空室的靶台,在基体表面交替沉积TiN层和金属层,至膜层总厚度为0.1μm~10μm,得到缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜。本发明所得的缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜经过三个月浸泡后离子溶出速度没有下降,并且对大肠杆菌的抗菌率仍能达到97%以上。 |
申请公布号 |
CN101705468A |
申请公布日期 |
2010.05.12 |
申请号 |
CN200910308258.7 |
申请日期 |
2009.10.14 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
田修波;韦春贝;巩春志;杨士勤 |
分类号 |
C23C14/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;A01N59/20(2006.01)I;A01N59/16(2006.01)I;A01P1/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/14(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法,其特征在于缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法如下:一、将基体放入真空室靶台上,在真空室真空度为2×10-3Pa的条件下将基体加热至200℃,然后在氩气流量为10sccm~20sccm、射频功率为300W、基体负偏压为800V、脉冲频率为10kHz、脉冲宽度为30μs的条件下对基体表面进行溅射清洗20min;二、在氩气流量为6sccm、氮气流量为2sccm、沉积气压为0.56Pa、基体沉积偏压为复合偏压的条件下转动真空室的靶台,在基体表面交替沉积TiN层和Cu-Zn金属层,至膜层总厚度为0.1μm~10μm,其中膜层中第一层和最外层为TiN层,每次在基体表面沉积TiN层的量平均为1.0×1016~2.0×1017个分子/cm2,每次在基体表面沉积金属层的量平均为1.0×1016~1.3×1017个原子/cm2,金属层中Zn的原子百分比为0%~10%,Cu的原子百分比为90%~100%,得到缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜;其中步骤二所述复合偏压中直流电压为80V、耦合脉冲电压为200V、脉冲频率为10kHz、脉冲宽度为30μs;步骤二中Ti靶采用直流磁控溅射电源,溅射电流为0.6A,Cu-Zn靶采用磁控溅射射频电源,射频功率为300W。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |