利用浮动和/或偏置多晶硅区域的静电保护系统和方法

摘要

本发明公开了一种用于静电放电保护的系统和方法。该系统包括多个晶体管。这多个晶体管包括多个栅极区域、多个源极区域和多个漏极区域。多个源极区域和多个漏极区域位于衬底中的有源区内部，并且有源区至少与衬底中的隔离区域相邻。另外，该系统包括多晶硅区域。多晶硅区域经由介电层与衬底相隔离，并且多晶硅区域与多个栅极区域中的每一个交叉。多晶硅区域的至少一部分在有源区上。

主权项

一种用于静电放电保护的系统，所述系统包括：多个晶体管，所述多个晶体管包括多个栅极区域、多个源极区域和多个漏极区域，所述多个源极区域和所述多个漏极区域位于衬底中的有源区内部，所述有源区至少与所述衬底中的隔离区域相邻；第一多晶硅区域，所述第一多晶硅区域经由介电层与所述衬底相分离，并且所述第一多晶硅区域的一部分在所述有源区上，并且所述第一多晶硅区域围绕所述有源区而与所述多个栅极区域中的每一个栅极区域交叉。