CMOS图像传感器的制造方法

摘要

本发明公开了一种改善了转移特性的CMOS图像传感器及其制造方法。该方法包括以下步骤：通过向将要形成晶体管的衬底的整个表面注入第二导电类型杂质离子，在第一导电类型衬底的表面上形成对应于晶体管的第一源极和漏极区的光电二极管区和第二导电类型离子区；通过只在光电二极管区露出的区域轻注入第二导电类型杂质离子，在衬底中对应于光电二极管区形成第二导电类型轻掺离子区；以及通过热处理将第二导电类型轻掺离子区扩散入第二导电类型离子区中。

主权项

一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括以下步骤：通过向将要形成晶体管的衬底的整个表面注入第二导电类型杂质离子，在第一导电类型衬底的表面上形成对应于所述晶体管的第一源极和漏极区的光电二极管区和第二导电类型离子区；通过只在所述光电二极管区露出的区域轻注入第二导电类型杂质离子，在所述衬底中对应于所述光电二极管区形成第二导电类型轻掺离子区；以及通过热处理将所述第二导电类型轻掺离子区扩散入所述第二导电类型离子区中。