提高功率MOS场效应管击穿电压的方法

摘要

本发明提供一种提高功率MOS场效应管击穿电压的方法，所述方法包括以下步骤：在功率MOS场效应管的衬底内刻蚀形成第一浅沟槽；在第一浅沟槽内淀积第一氧化层；在第一氧化层内刻蚀形成多个第二浅沟槽；在衬底和第一氧化层上形成两个多晶硅栅极，再在两个多晶硅栅极外侧的衬底表面进行离子注入，形成第一有源区和第二有源区；在多晶硅栅极上淀积第二氧化层；在第二氧化层上制作场板。本发明不但消除了功率MOS场效应管内的多晶硅在生长过程中所形成的夹角，而且分散了功率MOS场效应管表面的电场强度，最大限度的减小了功率MOS场效应管表面的电场强度，提高了功率MOS场效应管的击穿电压。

主权项

一种提高功率MOS场效应管击穿电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：在所述功率MOS场效应管的衬底内刻蚀形成第一浅沟槽；在所述第一浅沟槽内淀积第一氧化层，并对所述第一氧化层进行刻蚀和研磨，去除所述衬底上的所述第一氧化层；在所述第一氧化层内刻蚀形成多个第二浅沟槽；在所述衬底和所述第一氧化层上形成两个多晶硅栅极，再以所述多晶硅栅极为阻挡层在两个所述多晶硅栅极外侧的衬底表面进行离子注入，形成第一有源区和第二有源区；在所述多晶硅栅极上淀积第二氧化层；在所述第二氧化层上制作场板。