| 发明名称 | 固体摄像装置、摄像机以及固体摄像装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种固体摄像装置、摄像机以及固体摄像装置的制造方法。在具有设置在硅衬底(1)上部的光电二极管(2)、和通过元件隔离区域(3)与光电二极管(2)分离开的金属氧化物半导体场效应晶体管的活性区域的固体摄像装置中，使元件隔离区域(3)上部宽度比下部宽度宽。因此，能够提供一种在确保元件隔离用区域的电气隔离特性的状态下，实现像素尺寸的微细化和受光区域面积的增大，并且随机干扰和白缺陷很少的固体摄像装置、摄像机以及固体摄像装置的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1877846B | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
| 申请号 | CN200610073224.0 | 申请日期 | 2006.04.05 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 森三佳 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种固体摄像装置，包括：形成在硅衬底上部且包含光电变换部的摄像区域；形成在所述硅衬底中包围所述光电变换部的部分的至少一部分上且下部宽度比上部宽度窄的元件隔离结构；以及形成在所述摄像区域中通过所述元件隔离结构与所述光电变换部电气隔离的区域中的金属氧化物半导体型晶体管，在所述元件隔离结构中，宽度从上部到下部不连续地变化。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||