| 发明名称 | 垂直沟道半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 垂直沟道半导体衬底包括具有柱子的半导体衬底，该柱子具有上表面。绝缘栅电极围绕柱子的外围。绝缘栅电极在比柱子的上表面低的垂直水平面上具有上表面，以垂直地将绝缘栅电极与柱子的上表面分隔开。第一源区/漏区在与柱子相邻的衬底中。第二源区/漏区设置在柱子的上部区域中，包括柱子的上表面。接触焊盘接触柱子的整个上表面，以电连接到第二源区/漏区。 | ||
| 申请公布号 | CN1897305B | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
| 申请号 | CN200610105583.X | 申请日期 | 2006.07.17 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 尹在万;朴东建;李忠浩;金圣求;李元锡;朴承培 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种垂直沟道半导体器件，包括：半导体衬底，包括柱子，该柱子具有上表面；绝缘栅电极，围绕柱子的外围，绝缘栅电极在比柱子的上表面低的水平面上具有上表面，以在垂直方向将绝缘栅电极与柱子的上表面分隔开；第一源区/漏区，在与柱子相邻的衬底中；第二源区/漏区，设置在柱子的上部区域中，包括柱子的上表面；接触焊盘，接触柱子的整个上表面，以电连接到第二源区/漏区；以及第一源/漏信号线，其接触第一源区/漏区，并在垂直于栅信号线的方向上延伸，其中第一源/漏信号线与栅电极绝缘，并围绕栅电极的外围。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||