发明名称 |
半导体功率器件和RF信号放大器 |
摘要 |
半导体功率器件包括凸缘、具有栅极、源极和漏极的管芯。源极与凸缘电耦合。漏极匹配电路位于具有输入、输出和偏置输入的凸缘上,输入与漏极耦合。漏极匹配电路包括与漏极和凸缘间的第一电容器串联耦合的电感器和紧邻于第一电容器排列的第二电容器,其中第二电容器与偏置输入耦合并且通过第二电感器与第一电容器并联。输入端机械耦合到凸缘并且与栅极电耦合,输出端机械耦合到凸缘并且与漏极匹配电路的输出电连接,输入偏置端机械耦合到凸缘并且通过偏置输入与漏极电耦合。 |
申请公布号 |
CN1909363B |
申请公布日期 |
2010.05.12 |
申请号 |
CN200610128556.4 |
申请日期 |
2006.07.25 |
申请人 |
英飞凌科技股份公司 |
发明人 |
N·V·迪克西特;S·罗普奇;P·佩鲁古帕利 |
分类号 |
H03F1/42(2006.01)I;H03F1/32(2006.01)I;H03F3/16(2006.01)I;H03F3/195(2006.01)I;H03F3/60(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L23/66(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/42(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张雪梅;陈景峻 |
主权项 |
半导体功率器件包括:-凸缘;-具有栅极、源极、漏极的管芯,其中源极电耦合到凸缘;-漏极匹配电路,其位于具有输入、输出和偏置输入的凸缘上,输入与漏极耦合,其中漏极匹配电路包括与漏极和凸缘间的第一电容器串联耦合的电感器和紧邻于第一电容器排列的第二电容器,其中第二电容器与偏置输入耦合并且通过第二电感器与第一电容器并联;-输入端机械耦合到凸缘并且与栅极电耦合;-输出端机械耦合到凸缘并且与漏极匹配电路的输出电耦合;-输入偏置端机械耦合到凸缘并且通过偏置输入与漏极电耦合。 |
地址 |
德国慕尼黑 |