METHOD FOR PRODUCING A DOPED III-N SOLID CRYSTAL AND A FREE-STANDING DOPED III-N SUBSTRATE, AND DOPED III-N SOLID CRYSTAL AND FREE-STANDING DOPED III-N SUBSTRATE

摘要

Die Erfindung beschreibt Verfahren zum Herstellen eines dotierten III-N-Massivkristalls, wobei III mindestens ein Element der III. Hauptgruppe des Periodensystems, ausgewählt aus Al, Ga und In, bedeutet, wobei die dotierte kristalline III-N-Schicht oder der dotierte III-N-Massivkristall auf einem Substrat oder Template in einem Reaktor abgeschieden wird und wobei die Zufuhr mindestens eines Dotierstoffs in den Reaktor in Mischung mit mindestens einem Gruppe III-Material erfolgt Auf diese Weise können III-N-Massivkristalle und daraus vereinzelte III-N-Einkristall-Substrate mit jeweils sehr homogener Verteilung des Dotierstoffs in der Wachstumsrichtung wie auch in der Wachstumsebene senkrecht dazu erhalten werden. Entsprechend können eine sehr homogener Verteilung von Ladungsträgern und/oder von spezifischem elektrischem Widerstand in der Wachstumsrichtung wie auch in der Wachstumsebene senkrecht dazu bereitgestellt werden. Darüber hinaus ist es möglich, eine sehr gute Kristallqualität zu erhalten.