发明名称 |
半导体器件强化测试片 |
摘要 |
本实用新型公开了一种半导体器件强化测试片,属于半导体器件测试技术领域。它包括基材、中间层和测试层,测试层表面局部设有强化层。本实用新型耐磨性好,完全可以达到传统测试片的硬度,综合性能超过现有镀金片的各项性能指标,极大地降低了测试片的使用成本。适合作为半导体器件电参数测试中测试片使用。 |
申请公布号 |
CN201464498U |
申请公布日期 |
2010.05.12 |
申请号 |
CN200920080940.0 |
申请日期 |
2009.05.18 |
申请人 |
乐山-菲尼克斯半导体有限公司 |
发明人 |
王跃;赵小东;邵鹏 |
分类号 |
G01R1/02(2006.01)I |
主分类号 |
G01R1/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种半导体器件强化测试片,包括基材(1)、中间层(2)和测试层(3),其特征在于,测试层(3)表面局部设有强化层(4)。 |
地址 |
614000 四川省乐山市市中区人民西路289号甲 |