发明名称 |
基板处理装置、冷却气体供给喷嘴、及半导体装置之制造方法 |
摘要 |
具备:收容保持了复数片的基板的舟皿(boat)而处理复数片的基板之处理室、和设置于处理室周围而加热基板的加热单元、和在对于保持在收容于处理室内的舟皿的基板之主面而伸延于垂直方向的管部,形成了至少跨过2片复数片的基板而喷出冷却气体的喷出孔之冷却气体供给喷嘴;前述冷却气体供给喷嘴系形成如:形成喷出孔的范围的管部的剖面积变得比喷出孔的总开口面积大。 |
申请公布号 |
TWI324806 |
申请公布日期 |
2010.05.11 |
申请号 |
TW095128191 |
申请日期 |
2006.08.01 |
申请人 |
日立国际电气股份有限公司 |
发明人 |
上野正昭;林田晃;岛田真一;冈威宪 |
分类号 |
H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/324 |
代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种基板处理装置,其特征为:具备了收容保持了复数片的基板的舟皿(boat)而处理复数片的基板之处理室、和设置于该处理室周围而加热前述基板的加热单元、和在对于保持在容纳于前述处理室内的前述舟皿的前述基板之主面而伸延于垂直方向的管部,形成至少跨过2片前述复数片的基板而喷出冷却气体的喷出孔,且以形成了前述喷出孔之范围的前述管部的剖面积比前述喷出孔的总开口面积还要大的方式被形成之冷却气体供给喷嘴;前述冷却气体供给喷嘴,至少具备第一冷却气体供给喷嘴与第二冷却气体供给喷嘴等复数喷嘴,前述第一冷却气体供给喷嘴与相邻设置于该第一冷却气体供给喷嘴的第二冷却气体供给喷嘴,系该第一冷却气体供给喷嘴的前述喷出孔的上端,与该第二冷却气体供给喷嘴的喷出孔的下端为重叠般地各别形成。 |
地址 |
日本 |