半导体器件及其制造处理方法

摘要

提供半导体器件及其制造处理方法。所述半导体器件包括：第一导电类型的衬底；该衬底的多个沟槽中的栅极结构，其中每个沟槽中的栅极结构包含由绝缘材料围绕的导电栅极，绝缘材料在沟槽的侧壁处具有第一厚度，而在沟槽的底端具有大于第一厚度的第二厚度；邻近于至少一个沟槽的第二导电类型的第一区域，第一区域延伸到衬底中达第一深度，并包括邻近于沟槽的沟道区；第二导电类型的第二区域，其中第二区域包含在变化深度处的一系列注入，第二区域处于与第一区域电接触，而且第二区域延伸到深于第一深度且浅于沟槽的第二深度；以及在第一区域的顶上的第一导电类型的第三区域，其中在导电栅极上的电压控制从第三区域通过第一区域流向衬底的下层部分的电流。

主权项

1、一种半导体器件，包括：第一导电类型的衬底；在所述衬底的多个沟槽中的栅极结构，其中在每个沟槽中，所述栅极结构包含由绝缘材料围绕的导电栅极，所述绝缘材料在所述沟槽的侧壁处具有第一厚度，并且在所述沟槽的底端具有第二厚度，第二厚度大于第一厚度；邻近于至少一个沟槽的第二导电类型的第一区域，所述第一区域延伸到所述衬底中达第一深度，并包括邻近于所述沟槽的沟道区；第二导电类型的第二区域，其中所述第二区域包含在变化深度处的一系列注入，所述第二区域处于与所述第一区域电接触，而且所述第二区域延伸到第二深度，该第二深度深于第一深度且浅于所述沟槽；以及在所述第一区域的顶上的第一导电类型的第三区域，其中在所述导电栅极上的电压控制从所述第三区域通过所述第一区域流向所述衬底的下层部分的电流。