TFT-LCD阵列基板及其制造方法

摘要

本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，制造方法包括：在基板上沉积栅金属层，通过第一次构图工艺形成栅电极和栅线图形；连续沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属层，通过第二次构图工艺形成源电极、漏电极、数据线和掺杂半导体层图形，并形成TFT沟道；沉积钝化层，通过第三次构图工艺形成钝化层和半导体层图形，并形成钝化层过孔；沉积透明导电层，通过第四次构图工艺形成像素电极，且像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。与现有技术采用狭缝光刻工艺的四次构图工艺相比，本发明可显著减少由狭缝光刻工艺所带来的各种像素不良，提高了TFT-LCD阵列基板的生产成品率和产品质量。

主权项

1.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：步骤1、在基板上沉积栅金属层，通过第一次构图工艺形成栅电极和栅线图形；步骤2、在完成步骤1的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属层，通过第二次构图工艺形成源电极、漏电极、数据线和掺杂半导体层图形，并形成TFT沟道；步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，通过第三次构图工艺形成钝化层和半导体层图形，并形成钝化层过孔；步骤4、在完成步骤3的基板上沉积透明导电层，通过第四次构图工艺形成像素电极，且像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。