一种有机半导体材料的场效应晶体管及制备方法

摘要

本发明公开一种有机芘氧自由基半导体材料的场效应晶体管和制备方法，其结构包括衬底，栅极，绝缘层，有机芘氧自由基半导体层，源电极和漏电极；其方法包括栅极金属的沉积及图案化；绝缘层的沉积；有机芘氧自由基半导体材料的沉积；源电极和漏电极的沉积及其图案化。本发明制备的有机场效应晶体管是以2-芘基-4，4，5，5-四甲基咪唑啉-1-氧基自由基为有机半导体材料，制备工艺简单，成本低廉。在低电压下操作，显示出优良的场效应性能，迁移率高达0.1cm²/Vs，开关比大于10⁴，阈值电压为-0.6V，亚阈值斜率为0.54V/decade。本发明的有机场效应晶体管能使用于有源驱动，低端集成电路，传感器等领域。

主权项

1、一种有机半导体材料的场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底，在衬底上嵌入电极引线；栅极，该栅极位于衬底的之上，并与电极引线导通；绝缘层，该绝缘层位于栅极的之上；有机芘氧自由基半导体层，该有机芘氧自由基半导体层位于绝缘层之上；源电极和漏电极，该源电极和漏电极位于有机芘氧自由基半导体层之上；其中有机芘氧自由基半导体层为2-芘基-4，4，5，5-四甲基咪唑啉-1-氧基自由基。