发明名称 | 芯片中模拟开关控制电路 | ||
摘要 | 本发明涉及一种芯片中模拟开关控制电路,包括:第一NMOS管、第一PMOS管;还包括:第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管;所述的第二PMOS管和第三PMOS管的栅极与第一PMOS管的栅极相接,所述的第二PMOS管和第三PMOS管的源极和衬底相连,并与第一PMOS管的衬底和第四PMOS管的漏极相接;第二PMOS管和第三PMOS管的漏极分别和第一PMOS管的源极和漏极相连;第四PMOS管的源极与VDD相接。与现有技术相比,本发明的有益效果是:使开关关断后的漏电路减低到了最小,使开关打开后的导通电阻最小,电阻的平坦度最好。 | ||
申请公布号 | CN101540599A | 申请公布日期 | 2009.09.23 |
申请号 | CN200810034942.6 | 申请日期 | 2008.03.21 |
申请人 | 广芯电子技术(上海)有限公司 | 发明人 | 戴忠伟 |
分类号 | H03K17/687(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/687(2006.01)I |
代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 胡美强 |
主权项 | 1.一种芯片中模拟开关控制电路,包括:第一NMOS管、第一PMOS管;还包括:第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管;其特征在于:所述的第二PMOS管和第三PMOS管的栅极与第一PMOS管的栅极相接,所述的第二PMOS管和第三PMOS管的源极和衬底相连,并与第一PMOS管的衬底和第四PMOS管的漏极相接;第二PMOS管和第三PMOS管的漏极分别和第一PMOS管的源极和漏极相连;第四PMOS管的源极与VDD相接。 | ||
地址 | 200030上海市虹桥路333号613室 |