| 发明名称 | 稀土掺杂SiO<sub>2</sub>基质发光薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种稀土掺杂SiO<sub>2</sub>基质发光薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将正硅酸乙酯Si(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>O)<sub>4</sub>溶于乙醇或丙醇中；(2)上述溶液与硼酸的乙醇或丙醇水溶液混合；(3)加入盐酸或冰乙酸调节pH值2～3；(4)将可溶性铝盐加入上述溶液中；(5)加入可溶性稀土盐；(6)陈化得溶胶，制备薄膜，将薄膜在500～1500℃煅烧得发光薄膜。本发明制备的发光薄膜表面均匀，致密无开裂，薄膜粒子大小在1-50nm，厚度可控，本发明方法工艺简单、无需真空设备、成本低、原料易得且无毒。 | ||
| 申请公布号 | CN101538705A | 申请公布日期 | 2009.09.23 |
| 申请号 | CN200910022294.7 | 申请日期 | 2009.04.30 |
| 申请人 | 西北大学 | 发明人 | 胡晓云;樊君;江东;苗仲海;潘静;张德恺 |
| 分类号 | C23C20/08(2006.01)I;C09K11/59(2006.01)I | 主分类号 | C23C20/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安西达专利代理有限责任公司 | 代理人 | 谢 钢 |
| 主权项 | 1、一种稀土掺杂SiO2基质发光薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将正硅酸乙酯Si(C2H5O)4溶于乙醇或丙醇中；(2)上述溶液与硼酸的乙醇或丙醇水溶液混合；(3)调节pH值2～3；(4)将可溶性铝盐加入上述溶液中；(5)加入可溶性稀土Eu3+、Tb3+或Dy3+盐的一种或两种；(6)陈化得溶胶，制备薄膜，将薄膜在500～1500℃煅烧得发光薄膜；上述步骤中正硅酸乙酯∶硼酸∶可溶性铝盐∶稀土可溶性盐的摩尔比为1∶0.2～0.8∶0.001～0.005∶0.001～0.016。 | ||
| 地址 | 710069陕西省西安市太白北路229号 | ||