发明名称 |
隧道磁阻薄膜及磁性多层膜制作装置 |
摘要 |
本发明提供隧道磁阻薄膜及磁性多层膜制作装置。在维持用作交换耦合用非磁性层的Ru层为薄膜的状态下,改良耐热性,即使经过高温退火,Ru层也良好地呈现交换耦合磁场,MR比高。在隧道磁阻薄膜中,将夹着交换耦合用非磁性层(5)层叠的第一磁化固定层(4)及第二磁化固定层(6)中的至少一层做成由互不相同的磁性材料构成的2层以上的层叠结构。 |
申请公布号 |
CN101542767A |
申请公布日期 |
2009.09.23 |
申请号 |
CN200880000586.4 |
申请日期 |
2008.06.06 |
申请人 |
佳能安内华股份有限公司 |
发明人 |
恒川孝二;永峰佳纪 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01)I;G11B5/39(2006.01)I;H01F10/16(2006.01)I;H01F10/30(2006.01)I;H01F41/18(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
1.一种隧道磁阻薄膜,其特征在于,该隧道磁阻薄膜包括:反铁磁性层;隧道势垒层;第一磁化固定层,其位于上述反铁磁性层侧,且含有磁性体及硼原子;第二磁化固定层,其位于上述隧道势垒层侧,且含有磁性体及硼原子;交换耦合用非磁性层,其位于上述第一磁化固定层与上述第二磁化固定层之间;磁化自由层;上述第一磁化固定层包括位于上述反铁磁性层侧的反铁磁性层侧的层和位于上述交换耦合用非磁性层侧的交换耦合用非磁性层侧的层,该反铁磁性层侧的层与该交换耦合用非磁性层侧的层各自所含有的硼原子的、以atomic%表示的含有率互不相同。 |
地址 |
日本神奈川县 |