| 发明名称 | 沟槽栅型晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明用于在沟槽栅型晶体管中实现栅极电容的降低、结晶缺陷发生的抑制及栅极耐压的提高。在N-型半导体层(12)上形成沟槽(14)。在沟槽(14)的底部及其附近，形成在角部(12A、12B)处带有圆度且厚度均匀的硅氧化膜(15A)。另外，在沟槽(14)的侧壁的上方，形成比硅氧化膜(15A)薄、在角部(12C、12D)处带有圆度的硅氧化膜(15B)。并且，形成从沟槽(14)内向外侧延伸的栅电极(18)。基于厚的硅氧化膜(15A)可降低栅极电容，基于其上方薄的硅氧化膜(15B)可确保优良的晶体管特性。另外，基于角部(12A、12B)的圆度，不易发生结晶缺陷，并且使栅极电场分散，提高栅极耐压。 | ||
| 申请公布号 | CN101542741A | 申请公布日期 | 2009.09.23 |
| 申请号 | CN200880000648.1 | 申请日期 | 2008.09.26 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 岛田聪;山冈义和;藤田和范;田部智规 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1、一种沟槽栅型晶体管，其特征在于，具备：半导体层；在形成于所述半导体层的沟槽之内形成，延伸到所述沟槽之外的所述半导体层上的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的栅电极；形成在所述半导体层的表面附近，与所述沟槽的侧壁上的所述栅极绝缘膜相接的主体层，所述栅极绝缘膜在所述沟槽的侧壁上方具有第一膜厚，在所述沟槽的侧壁的下方及所述沟槽的底面具有比第一膜厚厚的第二膜厚，所述沟槽从底面到侧壁为圆弧。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||