热处理装置、热处理装置的温度调整方法和程序

摘要

本发明提供了一种能够简易地进行温度调整的热处理装置、热处理装置的温度调整方法和程序。热处理装置1的控制部50，在半导体晶片W上将SiO₂膜成膜，判别SiO₂膜是否满足面内均匀性。当控制部50判别为不满足面内均匀性时，计算满足面内均匀性时的预热部23的温度。控制部50在变更为计算的预热部23的温度的处理条件下在半导体晶片W将SiO₂膜成膜，进行预热部23的温度调整。此外，当控制部50判别为满足面内均匀性时，对于面间均匀性也以相同的顺序进行加热器11～15的温度调整。

主权项

1.一种热处理装置，其特征在于，具备：容纳多个被处理体的处理室内；对该处理室内加热的加热单元；向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给单元；在将由所述处理气体供给单元供给的处理气体供给至所述处理室内前对处理气体进行加热的预热单元；存储与处理内容相应的处理条件的处理条件存储单元，其中所述处理条件包含由所述加热单元加热的处理室内的温度、由所述预热单元加热的处理气体的温度、处理的面内均匀性、处理的面间均匀性；在所述处理条件存储单元存储的处理条件下处理所述被处理体的处理单元；对由所述处理单元处理后的处理结果是否满足存储在所述处理条件存储单元的处理的面内均匀性进行判别，当判别为不满足该面内均匀性时，计算使由所述预热单元加热的处理气体的温度满足该面内均匀性的温度，将所述处理条件存储单元存储的处理条件中的由预热单元加热的处理气体的温度变更为所述计算的处理气体的温度，在变更后的处理条件下处理所述被处理体而调整处理气体的温度的处理气体温度调整单元；对由所述处理单元处理后的处理结果是否满足存储在所述处理条件存储单元的处理的面间均匀性进行判别，当判别为不满足该面间均匀性时，计算使由所述加热单元加热的处理室内的温度满足该面间均匀性时的温度，在将所述处理条件存储单元存储的处理条件中的由加热单元加热的处理室内的温度变更为所述计算的处理室内的温度的处理条件下，处理所述被处理体而调整处理室内的温度的处理室温度调整单元。