发明名称 场发射电子源的制备方法
摘要 一种场发射电子源的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿同一方向延伸排列;提供一第一电极和一第二电极,将碳纳米管薄膜的两端分别固定于第一电极和第二电极上,该碳纳米管薄膜中碳纳米管从第一电极向第二电极延伸;通过使用有机溶剂处理该碳纳米管薄膜,形成多个碳纳米管线;将该碳纳米管线通电流加热熔断,得到多个碳纳米管针尖;提供一导电基体,将一碳纳米管针尖设置于该导电基体上,形成一场发射电子源。
申请公布号 CN101540253A 申请公布日期 2009.09.23
申请号 CN200810066127.8 申请日期 2008.03.19
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 魏洋;刘亮;范守善
分类号 H01J9/02(2006.01)I 主分类号 H01J9/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1.一种场发射电子源的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿同一方向延伸排列;提供一第一电极和一第二电极,将碳纳米管薄膜的两端分别固定于第一电极和第二电极上,该碳纳米管薄膜中的碳纳米管从第一电极向第二电极延伸;使用有机溶剂处理该碳纳米管薄膜,形成多个碳纳米管线,该碳纳米管线的两端分别固定于第一电极和第二电极上;将该碳纳米管线通电流加热熔断,形成多个碳纳米管针尖于第一电极或第二电极上;提供一导电基体,将一碳纳米管针尖转移设置于该导电基体上,形成一场发射电子源。
地址 100084北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室