发明名称 |
场发射电子源的制备方法 |
摘要 |
一种场发射电子源的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿同一方向延伸排列;提供一第一电极和一第二电极,将碳纳米管薄膜的两端分别固定于第一电极和第二电极上,该碳纳米管薄膜中碳纳米管从第一电极向第二电极延伸;通过使用有机溶剂处理该碳纳米管薄膜,形成多个碳纳米管线;将该碳纳米管线通电流加热熔断,得到多个碳纳米管针尖;提供一导电基体,将一碳纳米管针尖设置于该导电基体上,形成一场发射电子源。 |
申请公布号 |
CN101540253A |
申请公布日期 |
2009.09.23 |
申请号 |
CN200810066127.8 |
申请日期 |
2008.03.19 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
魏洋;刘亮;范守善 |
分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种场发射电子源的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿同一方向延伸排列;提供一第一电极和一第二电极,将碳纳米管薄膜的两端分别固定于第一电极和第二电极上,该碳纳米管薄膜中的碳纳米管从第一电极向第二电极延伸;使用有机溶剂处理该碳纳米管薄膜,形成多个碳纳米管线,该碳纳米管线的两端分别固定于第一电极和第二电极上;将该碳纳米管线通电流加热熔断,形成多个碳纳米管针尖于第一电极或第二电极上;提供一导电基体,将一碳纳米管针尖转移设置于该导电基体上,形成一场发射电子源。 |
地址 |
100084北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |