发明名称 |
太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置 |
摘要 |
本发明制造能量转换效率高的太阳能电池。将在作为P型层的多晶硅基板上形成的成为n型层多晶硅层的表层,使用等离子体进行氧化处理,然后利用CVD处理堆积硅氮化膜,由此在多晶硅层的表层形成钝化膜。使用10eV以下的鞘层电位的等离子体,在压力是6.67Pa~6.67×10<sup>2</sup>Pa的范围、温度是200℃~600℃的范围的条件下进行这种等离子体氧化处理。激发等离子体的微波通过缝隙天线被提供给处理容器内,通过微波的表面波生成等离子体。 |
申请公布号 |
CN101542749A |
申请公布日期 |
2009.09.23 |
申请号 |
CN200780042990.3 |
申请日期 |
2007.11.06 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
村川惠美 |
分类号 |
H01L31/04(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;C23C16/511(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李 伟;舒艳君 |
主权项 |
1.一种太阳能电池的制造方法,其中,使用等离子体使硅层的表层氧化、氮化或氮氧化,在所述硅层的表层形成钝化膜。 |
地址 |
日本东京都 |