等离子体处理装置以及半导体装置的制造方法

摘要

通过使用第一涡轮分子泵与第二涡轮分子泵串联连接的排气单元将反应室内的到达的最低压力降低到超高真空区域。并且，进一步通过刀口型金属密封法兰降低反应室的泄漏量。由此在降低到超高真空区域的同一反应室内层叠微晶半导体膜和非晶半导体膜。通过形成覆盖微晶半导体膜表面的非晶半导体膜可以防止微晶半导体膜的氧化。

主权项

1.一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置在反应室内生成辉光放电等离子体并在装载在该反应室内的衬底上堆积反应生成物，包括：在所述反应室内生成所述辉光放电等离子体的电极；与所述电极电连接的第一高频滤波器以及第二高频滤波器；与所述第一高频滤波器电连接的第一匹配器；与所述第一匹配器电连接的第一高频电源；与所述第二高频滤波器电连接的第二匹配器；以及与所述第二匹配器电连接的第二高频电源，其中，从所述第一高频电源输出的高频的电波具有10m以上的波长，并且，从所述第二高频电源输出的高频的电波具有低于10m的波长，并且，所述第一高频滤波器遮断来自所述第二高频电源的所述高频电力，并且，所述第二高频滤波器遮断来自所述第一高频电源的所述高频电力。