光半导体集成电路装置

摘要

一种光半导体集成电路装置，在蓝激光用的光电二极管中，具有位于光电二极管的受光区域上面的开口部的台阶会使遮光膜破断这样的问题。在本发明的光半导体集成电路装置中，在光电二极管的受光区域，通过在绝缘层上阶梯状地形成开口部，降低开口部的台阶。由此，改善覆盖于其上的遮光膜的分步敷层。因此，位于光电二极管的受光区域上面的开口部的台阶不会使遮光膜破断。因此，解决了现有的遮光膜破断这样的问题。

主权项

1、内装有形成于半导体层上的光电二极管的光半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，包括：层叠TEOS膜、SOG膜及TEOS膜以覆盖形成于所述半导体层上的第一配线层，从而形成平坦化的第一绝缘层的工序；层叠TEOS膜、SOG膜及TEOS膜以覆盖形成于所述第一绝缘层上的第二配线层，从而形成平坦化的第二绝缘层的工序；以形成于所述第一绝缘层的开口部比形成于所述第二绝缘层的开口部小的方式，以使在所述光电二极管的受光区域上的第一、第二绝缘层形成的开口部为阶梯状，由此开设开口部的工序；从所述第二绝缘层的上面开始，经由所述开口部在所述第二绝缘层和第一绝缘层的侧壁上覆盖遮光膜的工序；所述第一绝缘层和所述第二绝缘层是TEOS膜、SOG膜及TEOS膜层叠而构成的绝缘层。