氮化物系半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种氮化物系半导体元件，其使用Si作为基板，可使正向电压(Vf)低于先前。该氮化物系半导体元件1001是在Si基板1002上具有氮化物半导体层1003，并且Si基板1002的至少一部分及氮化物半导体层1003包含于主动区域，Si基板1002的主动区域的导电型为p型。而且，该氮化物系半导体元件1001是在Si基板1002上具有氮化物半导体层1003，并且Si基板1002的至少一部分及氮化物半导体层1003包含于主动区域，Si基板1002的主动区域的多数载体为空穴。

主权项

1.一种氮化物系半导体元件，其在Si基板上具有氮化物半导体层，此氮化物系半导体元件的特征在于，具有正电极和负电极，所述Si基板的至少一部分及所述氮化物半导体层包含于主动区域，所述Si基板的主动区域的导电型为p型，所述氮化物半导体层从所述Si基板侧起依次具有n型氮化物半导体层及p型氮化物半导体层，所述n型氮化物半导体层与所述Si基板的主动区域相邻接，与所述Si基板的主动区域邻接的n型氮化物半导体层的n型杂质浓度为1×1017cm-3以上、1×1022cm-3以下，所述正电极是与所述氮化物半导体层中包含的p型氮化物半导体层相邻接，所述负电极是与所述Si基板相邻接。